SEÚL, 5 de agosto de 2026. La fundición de Samsung Electronics, la división que fabrica chips por encargo de otras empresas, opera hoy entre el 70% y el 80% de su capacidad, con la meta interna de llegar al 100% en la segunda mitad del año. Hace apenas un año, la utilización de sus nodos de 4 y 5 nanómetros (el ancho de los transistores que definen cuánto rendimiento y eficiencia entrega un chip) había caído por debajo del 50%. El giro tiene un nombre concreto: la demanda de memoria HBM4, la cuarta generación de memoria apilada de alto ancho de banda que alimenta a los aceleradores de inteligencia artificial, y la producción del Groq3, el chip de inferencia que Nvidia empezó a fabricar en la planta de 4 nanómetros de Samsung.
Esa misma línea de 4 nanómetros está, según fuentes de la industria, completamente reservada desde comienzos de julio, y la ocupación general de la fundición seguía en ese rango alto según los últimos datos del 3 de agosto. Ya en junio, Samsung les había pedido a sus socios de ventas que redoblen la colocación del proceso de 5 nanómetros, un nodo con el rendimiento de fabricación ya estabilizado, como alternativa para los clientes fabless (empresas que diseñan chips sin fabricarlos) que no pueden asumir el salto directo a 2 o 3 nanómetros.
Lo que ya llena el 4 nanómetros
El rendimiento de fabricación (yield, la proporción de chips utilizables que salen de cada oblea) del proceso de 4 nanómetros de Samsung superó el 80% a fines de abril, según reportes de la industria confirmados a comienzos de mayo. Los procesos avanzados representarían más de la mitad de los ingresos de la fundición este año, y la porción de ventas ligada a inteligencia artificial y computación de alto rendimiento subiría de un rango cercano al 15-19% a más del 30%, de acuerdo con proyecciones de la industria del 3 de agosto.
| Indicador | Valor | Fecha del reporte |
|---|---|---|
| Utilización general de la fundición | 70% a 80%, meta de 100% en el 2H26 | 3 de agosto |
| Rendimiento del proceso de 4nm | superó el 80% | 29 de abril / 4 de mayo |
| Rendimiento del proceso de 2nm | cerca del 60%, contra un umbral de 70% para producción en masa | 3 de agosto |
| Pedidos de 2nm de Broadcom | se duplicarían este año | 3 de agosto |
Nvidia confirmó en su conferencia GTC de 2026, en San José, California, ante más de 18.000 asistentes, que Samsung fabrica el Groq3 en su proceso de 4 nanómetros. El chip usa memoria SRAM integrada en lugar de la memoria de alto ancho de banda tradicional y forma parte de la estrategia de 20.000 millones de dólares con la que Nvidia busca diversificar su negocio más allá de las tarjetas gráficas. La producción pasó de unas 9.000 obleas a cerca de 15.000 mientras el rendimiento del chip superó el 50%. Nvidia planea integrarlo en racks de inferencia de 256 unidades con 128 gigabytes de memoria SRAM combinada, disponibles en la segunda mitad de este año.
El empujón al 5 nanómetros
El proceso de 5 nanómetros ya tiene una base de clientes propia fuera del apuro por capacidad: una variante calificada para uso automotriz, llamada SF5A, certificada bajo el estándar AG2 con la mira puesta en AG1 (los niveles de calidad que exige la industria automotriz para componentes electrónicos críticos). Sobre esa línea, BOS Semiconductors, una empresa fabless fundada en 2022 por Jae-hong Park, exvicepresidente de Samsung Electronics con 23 años de trayectoria en diseño de semiconductores, desarrolla junto al diseñador surcoreano ADTechnology su serie de chips Eagle: el Eagle-N, un chiplet acelerador de inteligencia artificial para autos, y el Eagle-A, un system-on-chip para conducción asistida de nivel 2 a 4.
Hyundai Motor evalúa ese mismo proceso SF5A para fabricar sus propios chips de conducción autónoma, con desarrollo previsto para completarse hacia 2028 y producción en volumen apuntada a 2030.
Samsung pidió a sus socios de ventas reforzar la colocación del 5 nanómetros mientras acelera en paralelo el desarrollo del 2 nanómetros.
La saturación ajena juega a favor
TSMC, el mayor fabricante de chips por encargo del mundo, tiene reservada su capacidad del proceso N2 (2 nanómetros) hasta el segundo trimestre de 2027. Ante esa saturación, Google, AMD y BYD ampliaron su relación de fundición con Samsung. El mismo cuello de botella alcanza a clientes chinos: las restricciones de exportación de Estados Unidos, vigentes desde 2020 y ampliadas desde entonces, limitan el acceso de SMIC, la fundición china, a equipos de litografía ultravioleta extrema y complican el mantenimiento de las máquinas que ya tiene, después de que TSMC dejara de tomar pedidos de clientes chinos sancionados como Huawei. Ese margen reducido en China explica el interés creciente de clientes fabless chinos en fundiciones fuera de Estados Unidos, entre ellas Samsung.
La relación no está exenta de fricción política. En abril de 2025, Samsung Semiconductor debió salir a desmentir, en un comunicado en chino, versiones de que había suspendido sus relaciones con clientes chinos: dijo trabajar con ellos "con normalidad", en momentos en que Washington pedía endurecer los controles de tecnología de semiconductores hacia China. Ese antecedente marca el límite político de cuánto volumen chino puede absorber Samsung sin generar fricción con su principal mercado de clientes de IA, el estadounidense.
Qué queda por confirmarse
El interés por el 2 nanómetros sigue firme (Broadcom duplicaría sus pedidos, Google evalúa el nodo para un componente de su próxima unidad de procesamiento tensorial), pero el rendimiento de ese proceso, cerca del 60%, todavía no alcanza el umbral del 70% que la industria asocia con producción en masa estable. Hasta que ese número cierre, el 5 nanómetros sigue siendo la pieza que sostiene la utilización de la fundición mientras el 4 nanómetros no da abasto.
